North Carolina State University.;
机译:基于6.5 kV Si-IGBT / Si-PiN二极管,6.5 kV Si-IGBT / SiC-JBS二极管和10kV SiC-MOSFET / SiC-JBS的大功率中压转换器的设计比较二极管
机译:使用同轴4H-SiC制作和设计10 kV PiN二极管
机译:台面与JTE端接相结合的高压4H-SiC PiN二极管的设计,制造和表征
机译:基于6.5kV Si-IGBT / Si-PiN二极管,6.5kV Si-IGBT / SiC-JBS二极管和10kV SiC MOSFET / SiC-JBS二极管的大功率中压转换器的设计比较
机译:1.2 kV 4H-SiC平面栅极功率MOSFET的设计,分析和优化,用于改进的高频切换
机译:含氧ALN / 4H-SIC异质结二极管的制备和表征
机译:3.5 kV 4H-SiC JBS二极管电气特性设计的影响
机译:阻尼电容分压器,用于测量1 KV - 10 KV范围内的雷电冲击电压。