使用金属/金属氮化物双层结构作为自对准强按比例缩放CMOS器件中的栅电极

摘要

本发明涉及CMOS结构，其包括位于半导体衬底一个区域上的至少一个nMOS器件；以及位于半导体衬底另一个区域上的至少一个pMOS器件。根据本发明，至少一个nMOS器件包括含有栅电介质的栅叠层、具有小于4.2eV的功函数的低功函数元素金属、原位金属性罩层和多晶硅封装层；至少一个pMOS器件包括含有栅电介质的栅叠层、具有大于4.9eV的功函数的高功函数元素金属、金属性罩层和多晶硅封装层。本发明还提供制造这种CMOS结构的方法。