法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-10-30
授权
授权
2010-04-28
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20090826
实质审查的生效
2010-03-03
公开
公开
机译: 以掺杂的导电金属氧化物作为栅电极的CMOS器件的结构和方法
机译: 掺杂导电金属氧化物作为栅电极的CMOS器件的结构和方法
机译: 具有栅电极级区域的集成电路,所述栅电极级区域包括以相等的间距的至少七个线性导电结构,所述线性导电结构包括形成两种不同类型的晶体管的线性导电结构以及具有对齐端部的至少三个线性导电结构