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具有掺杂导电金属氧化物作为栅电极的CMOS器件结构和方法

摘要

本发明公开了一种用于提供改进的功函数值和热稳定性的半导体器件和用于制造半导体器件的方法。该半导体器件包括:半导体衬底;位于半导体衬底之上的界面电介质层;位于界面电介质层之上的高k值栅电介质层;以及位于高k值栅电介质层之上的掺杂导电金属氧化物层。

著录项

  • 公开/公告号CN101661957B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-10-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;

    申请/专利号CN200910166560.3

  • 申请日2009-08-26

  • 分类号H01L29/78(20060101);H01L29/43(20060101);H01L27/092(20060101);H01L21/8238(20060101);

  • 代理机构11306 北京德恒律师事务所;

  • 代理人梁永;马铁良

  • 地址 中国台湾新竹

  • 入库时间 2022-08-23 09:16:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-10-30

    授权

    授权

  • 2010-04-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20090826

    实质审查的生效

  • 2010-03-03

    公开

    公开

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