机译:具有标准波长互补金属氧化物半导体技术的具有波长选择金属栅结构的高灵敏度栅/主体束缚金属氧化物半导体场效应晶体管型光电探测器
School of Electronics Engineering, Kyungpook National University, 80 Daehakro, Bukgu, Daegu 702-701, Korea;
School of Electronics Engineering, Kyungpook National University, 80 Daehakro, Bukgu, Daegu 702-701, Korea;
School of Electronics Engineering, Kyungpook National University, 80 Daehakro, Bukgu, Daegu 702-701, Korea;
School of Electronics Engineering, Kyungpook National University, 80 Daehakro, Bukgu, Daegu 702-701, Korea;
Department of Sensor and Display Engineering, Kyungpook National University, 80 Daehakro, Bukgu, Daegu 702-701, Korea;
IT Convergence Research Division, Daegu Gyeongbuk Institute of Science and Technology, 333, Techno jungang-daero, Hyeonpung-myeon, Dalseong-gun, Daegu 711-873, Korea;
School of Electronics Engineering, Kyungpook National University, 80 Daehakro, Bukgu, Daegu 702-701, Korea;
gate/body-tied MOSFET-type photodetector; metal grid; wavelength selectivity; high sensitivity;
机译:具有反馈结构的带栅/束缚金属氧化物硅场效应晶体管型光电探测器的可变动态范围互补金属氧化物半导体图像传感器
机译:具有重叠控制栅的高灵敏度栅/束缚P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管型光电探测器
机译:使用栅极/主体P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管型光电探测器的互补金属氧化物半导体图像传感器,用于高速二进制操作
机译:反转式表面通道IN_(0.53)GA_(0.47)作为金属氧化物 - 半导体场效应晶体管,具有金属栅极/高k电介质堆叠和CMOS兼容的PDGE接触
机译:用于射频功率放大器的基于氮化镓的金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管的建模与表征。
机译:全方位栅InAs纳米线金属氧化物半导体场效应晶体管中的高度栅可调Rashba自旋轨道相互作用
机译:可变动态范围的互补金属氧化物半导体图像传感器,具有栅极/机身互连金属氧化物硅场效应晶体管型光电探测器使用反馈结构
机译:在蓝宝石上的500 a薄膜硅中制造具有0.2微米栅极长度的n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。 (重新公布新的可用性信息)