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张虎;
西安电子科技大学;
微波器件; p型隔离层; 功率密度; 器件设计;
机译:具有部分p型隔离层的改进型L栅4H-SiC MESFET
机译:具有L栅极和部分p型隔离层的新型4H-SiC MESFET
机译:基于改进阱模型的新型p型隔离层与场板结构结合的4H-SiC MESFET的特性和优化
机译:具有部分P型掺杂空间层的4H-SiC MESFET的改进特性
机译:超高压4H-SiC双向绝缘栅双极晶体管。
机译:具有纳米刻度通道层的极高性能顶栅P型Sno薄膜晶体管
机译:具有沉积的SiNx / SiO2叠栅结构的4H-SiC MIS电容器和MISFET
机译:p型4H-siC(预印)上Ti / alNi / au触点的TEm观察
机译:用于MOSFET的半导体结构,具有与n型双栅晶体管的背栅的一部分和p型双栅晶体管的背栅的一部分相接触的单阱,其中栅极被相同的掺杂剂掺杂。
机译:p型4H-SiC单晶的制造方法及p型4H-SiC单晶
机译:P型4H-SIC单晶及制备P型4H-SIC单晶的方法
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