Rensselaer Polytechnic Institute.;
机译:4H-SiC高压沟槽绝缘栅双极型晶体管关断损耗分析模型的研究
机译:超高压绝缘栅双极晶体管的多层多层4H-SiC的外延生长和表征
机译:具有侧向绝缘栅双极晶体管和浮动p阱电压感测方案的保护电路的新型1200 V穿孔式绝缘栅双极晶体管
机译:高压4H-SIC绝缘栅双极晶体管(IGBT)和MOS门双极晶体管(MGT)的比较
机译:SiC绝缘栅双极晶体管的紧凑模型。
机译:低关断损耗的4H-SiC沟槽绝缘栅双极晶体管的仿真研究
机译:短路检测和驱动控制,没有用于高压高功率绝缘栅双极晶体管的消隐时间