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一种双向耐压的绝缘栅双极晶体管结构

摘要

本发明公开了一种双向耐压的绝缘栅双极晶体管结构,与传统器件结构相比,在漂移区内部插入了与漂移区掺杂性质相反的异性掺杂区两个P柱区。通过改进,漂移区厚度减小,通态压降减小,晶体管的终端结构加工工艺难度和成本降低。

著录项

  • 公开/公告号CN106158941A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-11-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;

    申请/专利号CN201610865714.8

  • 发明设计人 张广银;谭骥;卢烁今;朱阳军;

    申请日2016-09-29

  • 分类号H01L29/739;H01L29/06;

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人乔东峰

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

  • 入库时间 2023-06-19 00:59:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-04-17

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L29/739 申请公布日:20161123 申请日:20160929

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2016-12-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/739 申请日:20160929

    实质审查的生效

  • 2016-11-23

    公开

    公开

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