机译:提取增强型横向绝缘栅双极晶体管:一种超高速横向绝缘栅双极晶体管,优于横向双管扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
Semiconductor Process R&D Division, DENSO Co., Ltd., Kota, Aichi 444-0193, Japan;
Semiconductor Process R&D Division, DENSO Co., Ltd., Kota, Aichi 444-0193, Japan;
Semiconductor Process R&D Division, DENSO Co., Ltd., Kota, Aichi 444-0193, Japan,Electric Technology Planning Department, DENSO Co., Ltd., Kariya, Aichi 448-8661, Japan;
Semiconductor Process R&D Division, DENSO Co., Ltd., Kota, Aichi 444-0193, Japan,Electric Technology Planning Department, DENSO Co., Ltd., Kariya, Aichi 448-8661, Japan;
Nakagawa Consulting Office, Chigasaki, Kanagawa 253-0021, Japan;
机译:具有侧向绝缘栅双极晶体管和浮动p阱电压感测方案的保护电路的新型1200 V穿孔式绝缘栅双极晶体管
机译:发行人注:“具有p +转向器的新型横向沟槽电极绝缘栅双极晶体管,具有出色的电气特性”。 J.应用物理42(2003)2119]
机译:具有侧向掺杂层埋入变化的新型低截止损耗SOI横向绝缘栅双极晶体管
机译:具有绝缘沟槽集电极的回跳抑制短路阳极横向沟槽绝缘栅双极晶体管(LTIGBT)
机译:高速绝缘栅双极晶体管,用于高速硬开关应用
机译:具有增强的双栅极和部分P埋层的超低比导通电阻横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
机译:具有横向掺杂层的掩埋变形的新的低关断损耗SOI横向绝缘栅双极晶体管
机译:新型功率半导体绝缘栅双极晶体管(IGBT)特性研究及其在汽车点火中的应用