N沟道增强型横向射频功率器件的设计与研究

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第一章 绪论

1.1课题的研究背景与意义

1.2国内外发展历程与研究现状

1.3射频SOI LDMOS功率器件

1.4本论文的工作

第二章 射频 LDMOS器件结构与基本特性

2.1射频LDMOS器件结构

2.2射频LDMOS器件基本特性

2.3硅基功率器件仿真软件和理论物理模型

2.4提高射频LDMOS器件频率特性的主要措施

2.5本章小结

第三章 具有台阶栅结构器件的电学特性仿真分析

3.1器件结构设计与原理机制

3.2器件结构参数优化设计

3.3部分阶梯埋氧层结构参数优化设计

3.4本章小结

第四章 具有阶梯漂移区结构器件的电学特性仿真分析

4.1变掺杂技术分析

4.2漂移区结构及特点

4.3阶梯漂移区性能分析

4.4本章小结

第五章 总结与展望

5.1总结

5.2展望

参考文献

致谢

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