机译:微波干扰对CMOS集成电路中n沟道增强模式MOSFET器件工作参数的影响
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机译:在60-300 K温度范围内对n沟道MOSFET反转层迁移率和器件特性进行测量和建模
机译:高温退火对N沟道增强模式功率MOSFET装置的C-V和G-V特性的影响
机译:低k材料作为CMOS中的层间电介质:沉积和处理对N沟道MOSFET特性的影响。
机译:在高真空下高温退火引起的表面声波器件中压电硅铜矿衬底的表面效应和挑战
机译:使用饱和模式的N沟道MOSFET / ChemFET微型器件的液相并行检测