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韩克锋; 黄念宁; 吴少兵; 秦桂霞;
南京电子器件研究所;
砷化镓赝高电子迁移率晶体管; 高铟沟道; Y型栅; 复合帽层; 噪声系数;
机译:具有共面波导(CPW)结构和0.15um GaAs pHEMT技术的Ka波段低噪声放大器
机译:Si和Au纳米晶体嵌入式多层栅介质长沟道栅全能(GAA)MOSFET非易失性存储器件的分析模型
机译:InGaP / InGaAs / GaAs骆驼栅p沟道拟态高电子迁移率晶体管的器件线性度增强
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:双栅三有源层沟道用于AMOLED像素电路的IGZO薄膜晶体管的设计与分析
机译:高电阻率硅制造的P沟道电荷耦合器件低噪声输出放大器的设计
机译:采用低温Gaas缓冲液增强的高性能0.15微米 - 栅极长度pHEmT
机译:双栅沟道型绝缘栅双极晶体管器件
机译:用于设计和制造具有互补沟道结绝缘栅场效应晶体管的半导体结构的方法,所述互补沟道结绝缘栅场效应晶体管的栅极的功函数接近中间间隙半导体值
机译:使用GaAs pHEMT器件的低失真宽带放大器
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