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机译:高电阻率硅制造的P沟道电荷耦合器件低噪声输出放大器的设计
S. Haque; F. Dion; R. Frost; R. Groulx; S. E. Holland; A. Karcher; W. F. Kolbe; N. A. Roe; G. Wang; Y. Yu;
机译:由高电阻率硅制成的全耗尽,背照式电荷耦合器件
机译:在高电阻率硅上制造的p沟道CCD中的质子辐射损伤
机译:在高电阻率,检测器级硅上制造的CMOS器件和电路的特性
机译:用于高电阻率硅上的P沟道电荷耦合器件的低噪声输出放大器的设计
机译:CMOS RF器件建模和低噪声放大器电路设计。
机译:硅电荷耦合器件上太赫兹辐射的高性能非线性可视化
机译:完全耗尽,背部照明电荷耦合器件,在高电阻率硅上制造
机译:用于汽车零差雷达接收器的低噪声放大器,具有N个同相运算放大器,其输出和输入分别连接到运算放大器的输出和正输入
机译:具有高电阻栅电极的电荷耦合掩埋沟道器件
机译:线性输出放大器,用于电荷耦合器件
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