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中国电子学会;
集成电路; 功率器件; 栅金属下沉; 可靠性分析;
机译:栅沉对InGaP / AlGaAs / InGaAs增强模式PHEMT器件性能的影响
机译:高性能GaAs基金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管,原子层沉积Al_2O_3栅氧化物并通过有机金属化学气相沉积原位钝化AlN
机译:Hf_xru_y和Hf_xru_yn_z金属作为P-金属氧化物半导体场效应晶体管器件的栅电极的材料和电性能
机译:绝缘体Ge上技术的高性能金属栅/高/ spl kappa / MOSFET和与GaAs兼容的RF无源器件
机译:系统评估金属栅电极的有效功函数及其对CMOS器件性能的影响。
机译:InGaAs上Al2O3原子层沉积的初始过程:界面形成机理及其对金属-绝缘体-半导体器件性能的影响
机译:栅极下沉对InGap / alGaas / InGaas增强模式pHEmT器件性能的影响
机译:微波半导体研究 - 材料,器件,电路。采用埋地金属栅的Gaas弹道电子晶体管。
机译:具有栅绝缘层的不同厚度的金属氧化物半导体场效应晶体管器件的形成方法,该不同厚度的层可以改善低电压金属氧化物半导体场效应晶体管器件和高电压金属氧化物半导体器件的性能
机译:具有肖特基栅结构的GaAs场效应半导体器件
机译:在有机半导体器件的金属材料和有机材料之间形成低电阻接触的方法以及用于产生具有高性能CaMPO绝缘栅效应的晶体管的方法
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