Gallium arsenides; Intermetallic compounds; Binary alloys; Microwave equipment; Gates(Circuits); Receivers; Field effect transistors; Semiconductor lasers; Doping; Capacitance; Epitaxial growth; Pulsed lasers; Aluminum compounds; Schottky barrier devices; Electrons; Ballistics; PDB(Planar Doped Barriers); MBE(Molecular Beam Epitaxy); Optical receivers; OMVPE(Organometallic Vapor Phase Epitaxy); BET(Ballistic Electron Transistors); HPT(Heterojunction Photo Transitor); Aluminum gallium arsenides; Short gates; Heterostructures(Modulation Doped); Structures(Double Base); BEL(Ballistic Electron Launchers); Submicron drains; Characteristic curves;
机译:准弹道器件的单源异质结金属氧化物半导体晶体管:低温下源异质结构和电子速度特性的优化
机译:用于准弹道互补金属氧化物半导体晶体管的具有松弛/应变半导体的新源异质结结构:应变衬底的松弛技术和10nm以下器件的设计
机译:Goatelength对高频应用的InGaAs / InAs / InGaAs复合通道双材料双栅极高电子移动性晶体管装置的影响
机译:AlGaN / GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管的材料和器件表征用反应溅射HFO {Sub} 2栅极电介质
机译:高功率拟晶AlGaAs / InGaAs高电子迁移率晶体管的材料,物理学,器件物理学和技术。
机译:微波辅助合成和表征氧化锌/烟草花叶病毒杂种材料。场效应晶体管器件中的有源混合半导体
机译:轮廓对AlGaAs / InGaAs / GaAs高电子迁移率晶体管材料和器件性能的影响