摘要:近年来,驱动类、音响类、接口类电路产品系列是CMOS集成电路发展的一个重要方向,这些电路中特有的高低压兼容结构是其重要的特点,相应地高低压兼容CMOS工艺技术应用也越来越广泛。本文研究了与常规CMOS工艺兼容的高压器件的结构与特性,在结构设计和工艺上做了大量的分析和实验,利用N-WELL和N管场注作漂移区,在没有增加任何工艺步骤的情况下,成功地将高压NMOS、PMOS器件嵌入在商用3.3/5V 0.5μm N-well CMOS工艺中。测试结果表明,高压大电流的NMOS管BVdssn达到23V~25V,P管击穿BVdssp>19V。