机译:Hf_xru_y和Hf_xru_yn_z金属作为P-金属氧化物半导体场效应晶体管器件的栅电极的材料和电性能
机译:关于带有ha /金属栅叠层的n和p-金属-氧化物-半导体场效应晶体管迁移率降低的起源
机译:通过插入TiO2层来控制p-金属栅金属氧化物半导体场效应晶体管的平带电压
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机译:先进CMOS器件的金属硅酸盐介质和金属栅电极的电气和材料性能。
机译:纳米N沟道和P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的超薄氧化物和氮化物/氧化物堆叠的栅极电介质研究
机译:基于GaMnAs的垂直自旋金属氧化物半导体场效应晶体管中的侧栅电场引起的大电流调制和隧穿磁阻变化
机译:具有CeO2 / HfO2叠层栅极电介质的金属-高-k氧化物半导体场效应晶体管的电和界面特性
机译:微波半导体研究 - 材料,器件,电路。采用埋地金属栅的Gaas弹道电子晶体管。