退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
机译:具有横向掺杂层的掩埋变形的新的低关断损耗SOI横向绝缘栅双极晶体管
Tao Tian; Sheng-Li Zhang; Yu-Feng Guo; Jun Zhang; David Z. Pan; Ke-Meng Yang;
机译:具有侧向掺杂层埋入变化的新型低截止损耗SOI横向绝缘栅双极晶体管
机译:超快关闭速度的横向绝缘栅极 - 双极晶体管的制造和研究
机译:实现低功耗的4H-SiC绝缘栅双极型晶体管关断性能研究
机译:基于SOI技术的反向导通双栅横向绝缘栅双极晶体管
机译:超高压4H-SiC双向绝缘栅双极晶体管。
机译:低关断损耗的4H-SiC沟槽绝缘栅双极晶体管的仿真研究
机译:绝缘栅双极晶体管电力装置包装绝缘层中累积电荷检测的传感器
机译:用作MOSFET的横向功率晶体管或绝缘栅双极晶体管包括布置在半导体层和电极层中的源极区,漏极区,漂移区和体区。
机译:在基极区具有逆向掺杂分布的横向绝缘栅双极晶体管及其制造方法
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。