微波半导体器件

微波半导体器件的期刊文献

• 1.[期刊]

  基于人工神经网络的GaN HEMTs建模与参数提取

  刘宇武; 王军;
  《电子元件与材料》 | 2022年 第7期

  摘要： 近年来,市场对半导体器件的需求越来越大,其中,氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMTs)因具有优良的性能而被广泛应用于高效、高频功率转换领域中。基于GaN...

• 2.[期刊]

  基于高迁移率晶体管的氮化镓微机械谐振器

  郭兴龙; 朱友华; 葛梅; 李毅; 邓洪海;
  《南通大学学报:自然科学版》 | 2022年 第2期

  摘要： 文章设计了一款基于氮化镓(GaN)的微机械谐振器。该器件采用氮化镓具有较高的声速和优异的压电系数性质及其二维电子气(two-dimensional elect...

• 3.[期刊]

  基于物理结构的GaN HEMTs小信号等效电路的精确建模方法研究

  缪文韬; 王军; 刘宇武;
  《电子元件与材料》 | 2022年 第5期

  摘要： 为了有效地表征GaN HEMTs在微波频段下的电学特性,研究了其高频等效电路的精确建模方法。基于GaN HEMTs器件的本征物理结构,综合考虑器件在制版过程中...

• 4.[期刊]

  基于变焦显微测量技术的键合金丝参数测量

  马美铭; 禹胜林; 周为荣; 张杰; 王雨壮;
  《电子显微学报》 | 2022年 第1期

  摘要： 欧美国家在半导体行业一直以来对我国实行技术封锁政策,我国许多关键技术和设备只能依靠进口,其中就包括键合金丝参数测量设备。键合金丝参数测量设备主要用于自动检测键...

• 5.[期刊]

  硅基氮化镓微机械谐振器研究

  郭兴龙; 张玲玲; 王九山;
  《微电子学与计算机》 | 2022年 第3期

  摘要： GaN不仅具有与硅媲美的较高声速,而且也有与氮化铝相当(AlN)的大压电系数,所以是制作MEMS谐振器的有力备选材料.研究设计了一款硅基压电氮化镓(GaN)M...

• 6.[期刊]

  基于石墨烯-黑砷异质结构宽频段探测器

  张力波; 张传胜; 王林; 邢怀中;
  《红外与毫米波学报》 | 2021年 第6期

  摘要： 利用定点转移技术,制备出二维层状材料石墨烯-黑砷范德华异质结构的光电探测器制备,实现了从可见光-红外-微波的宽频段探测.其中在可见红外光辐射下,黑砷中产生的光...

• 7.[期刊]

  兰姆波锂电池极化电压优化实验

  李志鹏; 梁威;
  《应用声学》 | 2021年 第6期

  摘要： 为了降低极化对电池的影响,应用兰姆波技术对锂电池进行优化极化电压的实验.结合二阶电路模型,计算锂电池的极化电压,分析极化电压随各影响因素的变化关系.实验结果表...

• 8.[期刊]

  太赫兹焦平面阵列芯片技术

  乔海东; 牟进超; 刘娣; 康忱; 黄辉; 张振华; 李凉海;
  《遥测遥控》 | 2021年 第6期

  摘要： 太赫兹焦平面阵列成像具有成像帧率高、凝视前视、实孔径成像的优点,是太赫兹成像技术中最具有可持续发展价值的技术途径之一.太赫兹焦平面阵列是太赫兹焦平面成像系统中...

• 9.[期刊]

  高精度GaAs PHEMT小信号模型参数提取

  蔡海怡; 翟丽荔; 何俊艺; 刘姝雯; 张金灿;
  《现代工业经济和信息化》 | 2021年 第5期

  摘要： 为了精确地模拟GaAs PHEMT晶体管的器件特性,进而优化器件工艺,建立了一种高精度的用于GaAs PHEMT晶体管的小信号模型.该小信号模型分为寄生参数部...

• 10.[期刊]

  氮化镓毫米波功放技术发展

  郝跃; 马晓华; 杨凌;
  《上海航天(中英文)》 | 2021年 第3期

  摘要： 氮化镓(GaN)毫米波功放器具有工作频率高、输出功率大、功率转换效率高等优势,在新一代移动通信、高分辨毫米波成像雷达等领域具有广阔的应用前景。本文综述了国内外...

• 11.[期刊]

  氮化镓毫米波功放技术发展

  郝跃; 马晓华; 杨凌;
  《上海航天》 | 2021年 第3期

  摘要： 氮化镓(GaN)毫米波功放器具有工作频率高、输出功率大、功率转换效率高等优势,在新一代移动通信、高分辨毫米波成像雷达等领域具有广阔的应用前景.本文综述了国内外...

• 12.[期刊]

  "星"型射频MEMS四刀四掷开关的设计

  张世义; 王姗姗; 吴倩楠; 余建刚; 王宇; 李孟委;
  《传感器与微系统》 | 2021年 第7期

  摘要： 为了解决传统开关可控通道较少、尺寸较大、插入损耗较高等问题,以射频微机电系统(MEMS)单刀单掷开关为基础,设计了"星"型的射频MEMS四刀四掷开关,可控制多...

• 13.[期刊]

  微波固态器件与单片微波集成电路技术的新发展

  周德金; 黄伟; 宁仁霞;
  《电子与封装》 | 2021年 第2期

  摘要： 对不同时代的单片微波集成电路(MMIC)的器件工艺发展和应用发展状况进行概况总结,并结合当前的研究与应用热点,重点分析以砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)为...

• 14.[期刊]

  T/R组件的路-场协同仿真模型研究

  彭浩; 焦龙飞; 迟雷; 宋瑛;
  《环境技术》 | 2021年 第1期

  摘要： T/R组件因其内部电路密度高,电磁能量分布复杂,常因腔体内电磁干扰与泄露出现收发异常等问题,导致无法正常工作.传统的有源电路仿真难以模拟腔内电磁能量对T/R组...

• 15.[期刊]

  Si基GaN射频器件研究进展

  房柏彤; 朱广润; 张凯; 郭怀新; 陈堂胜;
  《电子元件与材料》 | 2021年 第2期

  摘要： 针对低成本、大尺寸的GaN HEMT技术,回顾了近年来Si基GaN射频器件在大尺寸材料外延生长、器件制备工艺与单片集成电路等方面的国内外研究进展,指出推进其发...

• 16.[期刊]

  静电纺丝法制备NaSrBO3:5Eu3+纳米纤维及发光特性

  张渤琦; 李霜;
  《科学技术创新》 | 2021年 第2期

  摘要： 采用静电纺丝技术合成了NaSrBO3:5%Eu3+纳米纤维。经800℃烧结后,XRD结果表明,产物具有基质NaSrBO3的单斜相结构,Eu3+离子的掺杂没有改...

• 17.[期刊]

  一种适用于毫米波的InP HBT小信号模型与参数提取方法

  蒋润秋; 王军;
  《电子元件与材料》 | 2021年 第1期

  摘要： 为了精确提取磷化铟异质结双极型晶体管(InP HBT)在毫米波频段的寄生参数和本征参数,研究了器件的物理结构,从物理上区分了通孔和电极的寄生元件,建立了一个适...

• 18.[期刊]

  一种改进的InP HBT小信号模型的直接提取法

  戚军军; 吕红亮; 张玉明; 张义门; 张金灿;
  《红外与毫米波学报》 | 2020年 第3期

  摘要： 提出了一种改进的直接提取方法来提取InP HBT小信号等效电路中的模型参数,并将其成功地应用InP异质结双极晶体管(HBT)小信号等效电路.在所采用的模型中考...

• 19.[期刊]

  GaN功率器件片内微流热管理技术研究进展

  顾鹏飞; 郭怀新; 沈国策; 韩潇;
  《电子元件与材料》 | 2020年 第6期

  摘要： GaN器件大功率、高集成度的发展受限于热积累效应引起器件结温升高问题,严重导致器件性能和寿命衰减,使GaN器件的高功率性能优势远未得到发挥,片内微流热管理技术...

• 20.[期刊]

  SOI基横向SiGe HBT高频功率性能改善技术

  金冬月; 吴玲; 张万荣; 那伟聪; 杨绍萌; 贾晓雪; 刘圆圆; 杨滢齐;
  《北京工业大学学报》 | 2022年 第12期

  摘要： 为了在高频下兼顾电流增益β和击穿电压V_(CBO)、V_(CEO)的同步改善,从而有效提升器件的高频功率性能,利用SILVACO TCAD建立了npn型绝缘层...

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