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【2h】

4H-SiC MIS capacitors and MISFETs with deposited SiNx/SiO2 stack-gate structures

机译：具有沉积的SiNx / SiO2叠栅结构的4H-SiC MIS电容器和MISFET

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SiNx

机译：氮化硅

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作者
Noborio Masato; Suda Jun; Kimoto Tsunenobu;
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年度 2008
总页数
原文格式 PDF
正文语种 eng
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