机译:具有Au / WSiN难熔金属栅极的630-mS / mm GaAs MESFET
机译:具有Au / WSiN T形栅极的完全离子注入GaAs MESFET的高微波和超低噪声性能
机译:WSiN自对准GaAs-MESFET技术
机译:具有AU / WSIN耐火金属栅极的超低噪声全离子植入GaAs-MESFET
机译:硅金属半导体金属光电探测器:离子注入高速近红外光电二极管和位置敏感型光电探测器。
机译:基于碳化硅的高温微系统的WSi–WSiN–Pt金属化方案
机译:基于碳化硅的高温微系统的Wsi-WsiN-pt金属化方案