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机译:具有Au / WSiN难熔金属栅极的630-mS / mm GaAs MESFET
机译:具有Au / WSiN T形栅极的完全离子注入GaAs MESFET的高微波和超低噪声性能
机译:具有新型BP-LDD结构的0.1μmAu / WSiN栅GaAs MESFET及其应用
机译:用于MMIC的具有非对称LDD结构的WSiN门GaAs HMESFET
机译:具有Au / WSiN难熔金属栅极的超低噪声全离子注入GaAs-MESFET
机译:用于低噪声应用的铜/钛金属化GaAs MESFET和HEMT的制造,测试和可靠性建模。
机译:GaAs MMIC的Au-Sn焊料与不同背面金属化系统之间的微观结构表征和界面反应
机译:通过金属有机气相外延生长的al0.3Ga0.7as缓冲层改善亚微米栅极Gaas mEsFET的性能
机译:Gaas mmIC混频器,用于8-12GHz,基于0.5微米栅极长度的D-mEsFETs。第1卷。设计和布局(Gaas mmIC混频器,8-12GHz,Gerealiseered met 0,5微米栅极冷却D-mEsFET.selel 1. Ontwerp en Layout)。