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赵新建;
南京电子器件研究所;
GaAs; WSiN薄膜; 溅射; 工艺; 自对准;
机译:偏置应力和超高速数字IC相关性能下降下0.1μm自对准栅GaAs MESFET的阈值电压漂移
机译:GaAs IC采用高性能,高产量的多功能自对准栅极工艺制造,适用于雷达和电子战应用
机译:适用于数字IC应用的自对准AlInAs / GaInAs HBT
机译:具有多层互连结构的0.1- / splμ/μm/ m自对准栅GaAs MESFET,用于超高速IC
机译:使用非自对准栅工艺的替代栅叠层的制造和器件表征。
机译:调节界面化学溅射HfYO / GaAs栅堆叠的电学性能通过ALD脉冲周期和热处理
机译:用于光通信系统的高速Gaas mEsFET数字IC设计
机译:LsI / VLsI(大规模集成/超大规模集成)离子注入Gaas(砷化镓)IC处理。附录B.用于集成高速逻辑电路的Gaas mEsFET器件的二维建模
机译:具有难熔触点和自对准冷栅制造工艺的高速GaAs MESFET
机译:具有难熔触点和自对准冷栅制造工艺的高速GaAs测量
机译:制造具有T型钨丝栅场效应的自对准金属半导体(GAAS)晶体管的方法
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