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张有涛; 夏冠群; 李拂晓; 高建峰; 杨乃彬;
中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
南京电子器件研究所;
旁栅效应; GaAs; MESFET; 阈值电压; 缺陷陷阱; 集成度;
机译:偏置应力和超高速数字IC相关性能下降下0.1μm自对准栅GaAs MESFET的阈值电压漂移
机译:CVD-SiO {sub} 2薄膜对Ti / Pt / Au栅金属GaAs MESFET可靠性的影响
机译:沟道场对短栅n-GaAs MESFET截止频率的影响
机译:分析表面状态对凹栅和埋栅GaAs MESFET中栅滞现象的影响
机译:新型砷化镓MESFET建模方法和MMIC设计技术。
机译:调节界面化学溅射HfYO / GaAs栅堆叠的电学性能通过ALD脉冲周期和热处理
机译:短栅Gaas mEsFET的二维数值模拟及其在旅行Gunn域现象中的应用
机译:等温步骤快速退火制备耐热自对准栅GaAs MESFET
机译:具有t型钨栅的自对准GaAs MESFET的制造方法
机译:具有难熔触点和自对准冷栅制造工艺的高速GaAs MESFET
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