科研证明
文献服务
退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN109979810B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-25
原文格式PDF
申请/专利权人 厦门市三安集成电路有限公司;
申请/专利号CN201910175487.X
发明设计人 杨宇;林志东;孙希国;何先良;杨健;
申请日2019-03-08
分类号H01L21/28(20060101);H01L29/423(20060101);
代理机构35204 厦门市首创君合专利事务所有限公司;
代理人李雁翔;张迪
地址 361000 福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号
入库时间 2022-08-23 12:01:32
机译: 分离栅闪存中位线与字线自对准的结构和制作方法
机译:阈值 - 电压补偿像素中具有自对准顶栅结构的InGaZno TFT的正偏压不稳定性
机译:栅极/漏极电压配置对具有自对准顶栅结构的非晶铟锌氧化物薄膜晶体管中电流应力不稳定性的影响
机译:光屏蔽金属对自对准顶栅结构的A-IGZO TFT性能的影响
机译:硅兼容的低电阻S / D技术,用于具有UTBB(超薄体和BOX)结构的高性能顶栅自对准InGaZnO TFT
机译:使用非自对准栅工艺的替代栅叠层的制造和器件表征。
机译:在单个制造步骤中生成自对准SiO2 / Ge / SiO2 / SiGe栅堆叠异质结构的独特方法
机译:具有重掺杂n + -GaN欧姆接触2DEG的自对准栅GaN-HEmT。