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自对准栅结构及其制作方法、自对准栅宽结构及其制作方法

摘要

本发明提供了一种自对准栅结构的制作方法,包括如下步骤:1)在外延层的上表面涂覆第一光刻胶;2)通过第一光罩、曝光显影和蚀刻在外延层的上表面形成栅凹槽;3)通过回流工艺将蚀刻后剩余的第一光刻胶回流至栅凹槽中,形成T型栅宽;4)在第一光刻胶的上表面涂覆第二光刻胶,通过第二光罩、曝光显影形成T型栅帽的形貌,在此基础上蚀刻后形成T型栅形貌,T型栅帽是连通至T型栅宽的;5)在T型栅的形貌上进行金属蒸镀后,再剥离第一光刻胶和第二光刻胶,形成T型栅结构。本发明提供的自对准栅结构及其制作方法,栅结构和外延电阻之间具有极高的对准性。

著录项

  • 公开/公告号CN109979810B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 厦门市三安集成电路有限公司;

    申请/专利号CN201910175487.X

  • 申请日2019-03-08

  • 分类号H01L21/28(20060101);H01L29/423(20060101);

  • 代理机构35204 厦门市首创君合专利事务所有限公司;

  • 代理人李雁翔;张迪

  • 地址 361000 福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号

  • 入库时间 2022-08-23 12:01:32

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