机译:使用氧化硅-氮化物-氧化硅-硅电容器和氧氮化物作为电荷捕获层的紫外线总剂量非易失性传感器
机译:用于表征金属氧化物半导体电容器电荷俘获特性的新型栅极电压斜升技术
机译:氮化和再氧化的氮化氧化物中电荷陷阱的栅极偏置极性依赖性和随时间变化的介电击穿
机译:在Fowler-Nordheim注入和4H-SiC横向双注入MOSFET的制造过程中,在4H-SiC上的NO氮化栅氧化物中电荷积累的研究
机译:金属氧化物半导体电容器中电子束感应电流的俘获电荷界面调制。
机译:5 MeV质子辐射对氮化SiO2 / 4H-SiC MOS电容的影响及相关机制
机译:UV总剂量非挥发性传感器使用氧化硅 - 氮化物 - 氧化硅电容器,其具有氧 - 氮化物作为电荷捕获层