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汤振杰; 张婷; 殷江;
安阳师范学院物理与电气工程学院;
南京大学材料科学与工程系固体微结构物理国家重点实验室;
河南大学物理与电子学院;
高介电常数; HfAlO氧化物; 电荷存储; 原子层沉积;
机译:使用HfAlO复合氧化物薄膜增强SONOS型非易失性存储器中的电荷俘获性能
机译:隧穿层厚度对(Cu2O)(0.5)(Al2O3)(0.5)高k复合电荷俘获存储器件存储性能的影响
机译:以Al_2O_3为阻挡氧化物的原子层沉积HfO_2薄膜的电荷俘获特性,用于高密度非易失性存储器件应用
机译:金属栅功函数和高k阻挡电介质的固定氧化物电荷对NAND型电荷陷阱闪存器件存储性能的影响
机译:高介电常数薄膜基器件的材料科学,集成和性能表征。
机译:晶体管存储器:45-二氮杂芴基供体-受体小分子作为可调非易失性有机晶体管存储器的电荷俘获元件(Adv。Sci。12/2018)
机译:高k复合材料与si的介电常数和导带相对水平在提高电荷俘获存储器件存储性能中的作用
机译:在双极器件的发射极 - 基极/氧化物界面处增强的低速辐射诱导电荷俘获
机译:以用于编程电荷俘获型介电存储器件的方式和方法来编程电荷俘获型介电存储器件
机译:电荷俘获层,形成电荷俘获层的方法,使用该电荷俘获层的非易失性存储器件以及制造该非易失性存储器件的方法
机译:用于高介电常数氧化物薄膜基器件的层状CU基电极
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