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Layered CU-based electrode for high-dielectric constant oxide thin film-based devices

机译:用于高介电常数氧化物薄膜基器件的层状CU基电极

摘要

A layered device including a substrate; an adhering layer thereon. An electrical conducting layer such as copper is deposited on the adhering layer and then a barrier layer of an amorphous oxide of TiAl followed by a high dielectric layer are deposited to form one or more of an electrical device such as a capacitor or a transistor or MEMS and/or a magnetic device.
机译:一种层状器件,包括基板;其上的粘附层。将导电层(例如铜)沉积在粘附层上,然后沉积TiAl非晶氧化物的阻挡层,再沉积高介电层,以形成一个或多个电气设备,例如电容器或晶体管或MEMS和/或磁性设备。

著录项

  • 公开/公告号US7714405B2

    专利类型

  • 公开/公告日2010-05-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ORLANDO AUCIELLO;

    申请/专利号US20050073263

  • 发明设计人 ORLANDO AUCIELLO;

    申请日2005-03-03

  • 分类号H01L39/14;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 18:52:01

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