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一种增大层状钴基氧化物薄膜高温热电势的方法

摘要

本发明公开了一种增大层状钴基氧化物薄膜高温热电势的方法,属于功能薄膜材料领域。其特征在于:通过脉冲激光沉积在c轴倾斜的单晶衬底上制备层状钴基氧化物外延薄膜,从而在薄膜倾斜方向上获得增大的高温热电势。本发明能显著提高层状钴基氧化物薄膜的高温热电势,且重复性好、易于实现。

著录项

  • 公开/公告号CN106350773B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-08-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 昆明理工大学;

    申请/专利号CN201610811258.9

  • 申请日2016-09-09

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 650093 云南省昆明市五华区学府路253号

  • 入库时间 2022-08-23 10:15:25

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-08-10

    授权

    授权

  • 2017-03-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/28 申请日:20160909

    实质审查的生效

  • 2017-01-25

    公开

    公开

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