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一种具有双向阶梯能带存储氧化物的电荷俘获型存储器件及其制备方法

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摘要

本发明公开了一种具有双向阶梯能带存储氧化物的电荷俘获型存储器件的制备方法，借助原子层沉积系统制备隧穿氧化物、叠层存储氧化物和阻挡氧化物。叠层存储氧化物包含顺序生长的九层薄膜，其中每一层薄膜为[M]

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1. 一种具有双向阶梯能带存储氧化物的电荷俘获型存储器件及其制备方法 [P] . 中国专利： CN107768448B . 2020.01.14
2. 一种具有双向阶梯能带存储氧化物的电荷俘获型存储器件及其制备方法 [P] . 中国专利： CN107768448A . 2018-03-06
3. Programmed charge trapping type dielectric memory device in a manner and method for programming the charge trapping type dielectric memory device [P] . 日本专利： JP5281599B2 . 2013-09-04

机译：以用于编程电荷俘获型介电存储器件的方式和方法来编程电荷俘获型介电存储器件
4. Charge trapping layer, method of forming the charge trapping layer, non-volatile memory device using the same and method of fabricating the non-volatile memory device [P] . 美国专利： US2010276747A1 . 2010-11-04

机译：电荷俘获层，形成电荷俘获层的方法，使用该电荷俘获层的非易失性存储器件以及制造该非易失性存储器件的方法
5. Nonvolatile charge trap memory device having a deuterated layer in a multi-layer charge-trapping region [P] . 美国专利： US10263087B2 . 2019-04-16

机译：在多层电荷俘获区中具有氘化层的非易失性电荷俘获存储器件