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【2h】

Lanthanum Fluoride Charge Trapping Layer with Silicon Nanocrystals for Nonvolatile Memory Device Application

机译：具有硅纳米晶体的镧氟化物电荷俘获层，用于非易失性存储器件应用

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Sheikh Rashel Al Ahmed;
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年度 2014
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1. Lanthanum Fluoride Charge Trapping Layer with Silicon Nanocrystals for Nonvolatile Memory Device Application [J] . Sheikh Rashel Al Ahmed, Abu Bakar Md. Ismail American Journal of Nano Research and Applications . 2014,第1期

机译：含硅纳米晶的氟化镧电荷陷阱层在非易失性存储设备中的应用
2. Memory characteristics of silicon nitride with silicon nanocrystals as a charge trapping layer of nonvolatile memory devices [J] . Sangmoo Choi, Hyundeok Yang, Man Chang, Applied Physics Letters . 2005,第25期

机译：具有硅纳米晶体作为非易失性存储器件电荷捕获层的氮化硅的存储特性
3. Al_2O_3 with Metal-Nitride nanocrystals as a charge trapping layer of MONOS-type nonvolatile memory devices [J] . S. Choi, S. S. Kim, H. Yang, Microelectronic Engineering . 2005,第Jun期

机译：具有氮化金属纳米晶体的Al_2O_3作为MONOS型非易失性存储器件的电荷捕获层
4. Investigation on Lanthanum Fluoride insulating layer embedding silicon nanocrystals for metal-insulator-semiconductor (MIS) devices [C] . Ahmed Sheikh Rashel Al, Mou Sinthia Shabnam, Ismail Abu Bakar Md. 2011 Argentine School of Micro-Nanoelectronics Technology and Applications . 2011

机译：金属-绝缘体-半导体（MIS）器件中嵌入硅纳米晶的氟化镧绝缘层的研究
5. Design, characterization and modeling of charge trapping nonvolatile semiconductor memory devices. [D] . Eichenlaub, Nathan. 2009

机译：电荷捕获非易失性半导体存储器件的设计，表征和建模。
6. Semiconductors: High‐Performance Nonvolatile Organic Field‐Effect Transistor Memory Based on Organic Semiconductor Heterostructures of Pentacene/P13/Pentacene as Both Charge Transport and Trapping Layers (Adv. Sci. 8/2017) [O] . Wen Li, Fengning Guo, Haifeng Ling, 2017

机译：半导体：基于并五苯/ P13 /并五苯作为电荷传输层和陷阱层的有机半导体异质结构的高性能非易失性有机场效应晶体管存储器（Adv。Sci。8/2017）
7. Nonvolatile Multilevel Photomemory Based on Lead-Free Double Perovskite Cs2AgBiBr6 Nanocrystals Wrapped Within SiO2 as a Charge Trapping Layer [O] . -1

机译：基于无铅双钙钛矿CS2AGBIBR6纳米晶的非易失性多级光学测序作为电荷俘获层

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