Carbon; Electrical resistance measurement; Germanium; Junctions; Microelectronics; Rapid thermal annealing; carbon; co-implantation; microwave annealing;
机译:N-2共注入对低能注入锗中磷的强扩散抑制
机译:浅结形成中锗预非晶化条件的优化
机译:L. Rubin等人对“通过TiSi / sub 2 /薄膜注入砷和硼并进行快速热退火形成浅结二极管”的评论和答复
机译:用微波退火的共植入锗磷浅接线形成的微波退火
机译:使用化学退火制备的非晶硅锗膜和器件的性能。
机译:磷掺杂石墨材料为固体酸微波辅助合成β-酮烯胺的催化剂和拜尔-维利格氧化
机译:350°C微波退火的超浅结合N-MOS的研究锗磷掺杂剂活化
机译:脉冲激光退火锗中受激表面极化波散射和光栅形成的时间分辨测量