声明
摘要
第一章 绪论
1.1 研究背景与意义
1.2 Si基Ge波导探测器研究进展及存在问题
1.3 本论文的主要工作与结构安排
参考文献
第二章 注磷Ge脉冲激光退火的理论研究
2.1 n型Ge材料掺杂问题
2.2 磷离子注入Ge工艺模拟
2.3 注磷Ge脉冲激光退火的热输运及杂质扩散
2.3.1 注磷Ge脉冲激光退火的热输运
2.3.2 注磷Ge脉冲激光退火过程中杂质扩散机理研究
2.4 本章小结
参考文献
第三章 基于激光退火制备的Ge n+/p浅结二极管及其光电特性
3.1 脉冲激光激活Ge中注入杂质的研究
3.1.1 脉冲激光退火设备简介
3.1.2 脉冲激光对注磷Ge表面形貌及晶体质量的影响
3.1.3 脉冲激光退火对注磷Ge中杂质扩散与激活的影响
3.1.4 Ge n+/p二极管的制备与分析
3.2 基于两步退火法制备的Ge n+/p浅结二极管及光电特性研究
3.2.1 高性能Ge n+/p浅结二极管的制备
3.2.2 Ge n+/p浅结二极管的光电特性
3.3 本章小结
参考文献
第四章 SOI基Ge波导探测器的结构设计
4.1 SOI基Ge波导探测器的光学模拟
4.1.1 SOI脊型波导的单模传输
4.2.2 端面耦合型波导探测器的光学模拟
4.2 SOI基Ge波导探测器的结构设计
4.3 本章小结
参考文献
第五章 SOI基Ge波导探测器的制备与表征
5.1 SOI基Ge材料的外延生长
5.2 SOI基Ge波导探测器的制备
5.3 SOI基Ge波导探测器的性能测试
5.3.1 SOI基Ge波导探测器的I-V特性
5.3.2 SOI基Ge波导探测器的响应度和带宽
5.4 本章小结
参考文献
第六章 总结与展望
附录 博士期间科研成果及获奖情况
致谢
厦门大学;