PIN型锗波导光电探测器的设计与实现

目录

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第一章 绪论

1.1 论文的研究目的和意义

1.2 国内外研究现状

1.3 论文的研究内容和章节安排

第二章 PIN光电探测器基本工作原理

2.1 光电探测器基本工作原理

2.1.1 PN结光电探测器的工作原理

2.1.2 PIN结光电探测器的工作原理

2.2 光电探测器的光学结构

2.3.1 面入射结构光电探测器

2.3.2 边入射结构光电探测器

2.3 光电探测器的主要性能参数

2.3.1 量子效率与响应度

2.3.2 响应时间与3dB带宽

2.3.3 暗电流与噪声特性

2.4 小结

第三章 SOI基锗波导光电探测器的结构设计

3.1 器件的材料和结构设计

3.1.1 材料选择

3.1.1 波导耦合方式的选择

3.2 SOI基锗波导探测器的光学模拟

3.2.1 三维时域有限差分算法

3.2.2 吸收层的结构优化

3.2.3 垂直耦合波导探测器的基本结构

3.3 SOI基锗波导探测器的结构设计

3.3.1 入射光波导设计

3.3.2 锗波导结构优化

3.4小结

第四章 SOI基锗波导探测器的光电特性模拟

4.1 锗波导探测器的基本结构

4.2 光谱响应曲线和量子效率

4.3 响应度和响应时间

4.4 Ⅰ-Ⅴ特性曲线和3dB带宽

4.5 探测器的结构及制备工艺流程

4.6 小结

第五章 SOI基锗波导探测器的测试结果与讨论

5.1 器件表征

5.2 波导及光栅的光学损耗

5.3 光电流和暗电流特性

5.3 响应度

5.4 光电探测器眼图

5.5 小结

第六章 总结与展望

6.1 论文工作总结

6.2 展望

参考文献

发表论文和参加科研情况

致 谢