Annealing; Charge carriers; Current measurement; Semiconductor device measurement; Silicon; Solids; Temperature measurement; EBIC; Proton implantation; SRP; defects; silicon;
机译:注入碳离子的Cz和FZ硅晶体中氧配合物的结构和电学性质
机译:Si +注入然后等离子氢化和H +注入结晶硅中结构缺陷形成的比较分析
机译:开路电压:使用Fz和Cz晶圆的背面钝化硅太阳能电池的理论和实验优化
机译:H + sup> M:CZ和FZ硅的植入谱形成
机译:研究CZ-硅中B-O缺陷的形成-解离及其对太阳能电池性能的影响。
机译:注入碳离子的Cz和FZ硅晶体中氧配合物的结构和电学性质
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