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陈长清; 杨立新; 严金龙; 陈学良;
中国科学院上海冶金所微电子学分部;
碳化硅; 埋层; 注入;
机译:金属蒸气真空电弧离子源高剂量碳注入Si形成的SiC埋层的组成,结构和光学性能
机译:甲烷剂量和退火后处理对硅中纳米β-SiC埋层形成的影响
机译:通过氮离子注入硅形成的氮化物埋层的结构表征
机译:硅中C〜+注入形成的SIC埋层的HRTEM研究
机译:研究氢分子离子向硅中离子注入形成的缺陷。
机译:p型注入4H-SiC上形成的欧姆接触的纳米级电结构表征
机译:硅中meV Ni注入离子束合成埋层金属层的研究
机译:(110)硅中埋层氮化物层的形成
机译:在硅层/硅锗层/硅层的层积结构中仅用离子注入法选择性地形成硅锗层的方法,而无需在顶层和底部层中形成图案,仅选择性地形成硅锗层
机译:由由SiC或SiC和Si 3 N 4形成的三维骨架和含硅的贵金属合金组成的材料及其制造方法
机译:制造包括注入区以形成与掩埋层和相关器件的低电阻接触的半导体器件的方法
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