硅中注入高浓度碳形成微晶碳化硅的研究

摘要

为实现 OEIC的全 Si化 ,以适应稀土 Er发光的宽带隙半导体材料。研究了 C- Si基底上注 C形成微晶碳化硅 (μ c- Si C)的途径。经高浓度注 C,在 110 0～ 10 0 0℃ 2 h退火 ,经 X- ray与 Raman测试证明可以获得 μ c- Si C结构。因为在宽带隙 μ c- Si C中能量回传很少 ,故对 Er在波长 1.5 4