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目录
1 绪论
1.1 课题研究背景
1.2 硅量子点发光材料的国内外研究概况
1.3 含硅量子点半导体材料的应用概况
1.4 含硅量子点半导体材料的制备工艺
1.5 本论文研究意义及主要研究内容
2 氢化非晶富硅碳化硅薄膜及硅量子点的制备过程
2.1含硅量子点母体薄膜材料的选择
2.2化学气相沉积法制备氢化非晶富硅碳化硅薄膜
2.3α-SiC:H薄膜样品制备工艺参数
2.4α-SiC:H薄膜样品的退火处理及工艺参数的优化
2.5本章小结
3 含硅量子点材料的表征分析技术
3.1含硅量子点材料微结构表征技术
3.2硅量子点的化学键及结合能表征分析技术
3.3硅量子点光学性质表征分析技术
3.4本章小结
4 化学气相沉积非晶碳化硅薄膜的理论分析
4.1等离子体增强化学气相沉积系统中反应气体的分解过程
4.2氢化非晶碳化硅薄膜临界核的形成过程
4.3 本章小结
5 氢化非晶碳化硅薄膜中硅量子点生长机制研究
5.1高分辨透射电镜及傅立叶变换红外表征
5.2氢化非晶碳化硅薄膜的化学键演化分析
5.3 XPS光电子能谱及元素组分表征分析
5.4 Raman散射光谱及X射线衍射表征分析
5.5本章小结
6 氢化非晶富硅碳化硅薄膜中硅量子点光致发光研究
6.1 引言
6.2 光致发光特性与反射光谱表征
6.3 Raman散射光谱表征和XPS元素组分分析
6.4 硅量子点晶化和量子局限效应光致发光
6.5 本章小结
7 全文总结及后续研究展望
7.1 本文主要研究成果
7.2 后续研究展望
致谢
参考文献
附录I 攻读博士学位期间发表的论文
附录II 攻读博士学位期间申请的专利
华中科技大学;