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机译:在预非晶硅中与氟或碳共注入超浅结形成的比较研究
Applied Materials Inc., Front End Products Group, 974 E. Arques Ave, Sunnyvale, CA 94086, USA;
ultra-shallow formation; PMOS devices; pre-amorphized silicon;
机译:碳和磷共注入预非晶化锗中的结控制
机译:通过碳和氟共注入减少超浅硼扩散
机译:氮共注入对硼超浅结形成及潜在物理理解的影响
机译:碳共注入实现超浅P / sup +/- N结的形成
机译:超浅结形成过程中晶体硅中砷和氟行为的首要原理建模。
机译:使用基于铟锡氧化物的硅和pn硅结的器件对基于大孔硅的光伏特性进行比较研究
机译:硅中超浅结形成过程中氧的重新分布机理