FinFETs; Integrated circuit modeling; Ion implantation; Noise; Semiconductor process modeling; Three-dimensional displays; Trajectory; FinFET; Ion Implantation; Monte Carlo Simulation; Statistical Enhancement; Trajectory Splitting Method;
机译:通过离子注入蒙特卡罗模拟研究20 nm体MOSFET和绝缘体上硅FinFET中的随机掺杂波动
机译:具有精确量子校正功能的FinFET和FDSOI器件的3D蒙特卡洛仿真
机译:通过3D全频带Monte Carlo模拟,栅极-源极/漏极失准对整体FinFET的性能的影响
机译:高效蒙特卡罗对3D FinFET结构的离子植入仿真
机译:具有计算效率的模型对MeV离子注入的蒙特卡洛模拟。
机译:IM3D:并行的蒙特卡洛代码可有效模拟3D几何中的主辐射位移和损伤
机译:具有精确量子校正的FinFET和FDSOI器件的3D Monte Carlo仿真