机译:具有精确量子校正功能的FinFET和FDSOI器件的3D蒙特卡洛仿真
机译:超小型FDSOI,DGSOI和FinFET器件中隧道泄漏机理的多子带集成蒙特卡罗分析
机译:FDSOI,DGSOI和FinFET器件中的源-漏隧穿分析,通过多子带集成Monte Carlo进行
机译:十进制双门SOI器件的蒙特卡罗仿真:具有量子校正的多子带与3D电子气体
机译:硅器件的蒙特卡洛模拟,包括量子校正和应变。
机译:校正:基于蒙特卡洛对数文件模拟的3D VMAT验证以及胶片剂量测定的实验反馈
机译:闪烁的FDSOI,DGSOI和FINFET器件中隧道渗漏机制的多相带集合蒙特卡罗分析