Annealing; Doping; Etching; FinFETs; Implants; Plasmas; Silicon; AsHinf3/inf plasma doping; Fin Doping characterization; FinFET doping; LEXES; PIII; SIMS; TEM-EDX;
机译:低能电子诱导X射线发射光谱(LEXES)和二次离子质谱(SIMS)对超浅砷植入物的敏感性研究
机译:LEXES和SIMS作为补充技术,可对纳米结构进行完全定量表征
机译:SIMS和MEIS技术用于表征超浅砷植入物的比较
机译:Lexes,SIMS和STEM-EDX对FinFET中砷PIII植入物的表征
机译:离子通量(剂量率)在10 nm节点FinFET上的源漏扩展离子注入中的作用以及在300 / 450mm平台上的影响
机译:Ω栅双多晶硅FinFET非易失性存储器的制造表征和仿真
机译:通过等离子体浸没离子注入(PIII)以前原位磷掺杂多晶硅膜:控制和简化钝化触点集成
机译:低能硼和砷注入硅的分子动力学模拟