III-V族氮化物系半导体衬底、其制造方法及III-V族氮化物系发光元件

摘要

本发明提供了即使衬底面内存在因晶体翘曲而产生晶体取向偏差的情况下，发光波长偏差仍然很小的III-V族氮化物系半导体衬底及其制造方法，以及发光波长的衬底面内均一性优良的III-V族氮化物系发光元件。本发明的III-V族氮化物系半导体衬底是由III-V族氮化物系半导体晶体构成的半导体衬底，衬底的正面保持生成态，衬底的背面研磨成平坦面，并且晶体的C轴相对于衬底的正面大致垂直或者仅以特定角度倾斜。在该III-V族氮化物系半导体衬底上形成由III-V族氮化物系半导体晶体构成的外延层，从而形成III-V族氮化物系发光元件。