首页> 外文OA文献 >Realistic g-factor and k.p parameters in III-V semiconductors and prediction of semiconductors layered materials

【2h】

Realistic g-factor and k.p parameters in III-V semiconductors and prediction of semiconductors layered materials

机译：III-V半导体中的现实G型和K.P参数和半导体层材料的预测

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Carlos Maciél de Oliveira Bastos;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 -1
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. APS -APS March Meeting 2017 - Event - How hybrid exchange affects thermoelectric transport properties of Cu2Se, III-V semiconductors, and half Heuslers: Accurate grid sampling enabled with a corrected k.p scheme. [J] . Kristian Berland, Ole Martin L?vvik, Clas Persson Bulletin of the American Physical Society . 2017,第4期

机译：APS -APS 2017年3月会议-事件-混合交换如何影响Cu2Se，III-V半导体和一半Heuslers的热电输运特性：通过校正的k.p方案实现了精确的网格采样。
2. APS -APS March Meeting 2017 - Event - How hybrid exchange affects thermoelectric transport properties of Cu2Se, III-V semiconductors, and half Heuslers: Accurate grid sampling enabled with a corrected k.p scheme. [J] . Kristian Berland, Ole Martin L?vvik, Clas Persson Bulletin of the American Physical Society . 2017,第4期

机译：APS -APS 2017年3月会议-事件-混合交换如何影响Cu2Se，III-V半导体和一半Heuslers的热电输运特性：通过校正的k.p方案实现了精确的网格采样。
3. A comprehensive study of g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using hybrid-density functional theory [J] . Bastos Carlos M. O., Sabino Fernando P., Sipahi Guilherme M., Journal of Applied Physics . 2018,第6期

机译：利用混合密度泛函理论对III-V半导体的g因子，弹性，结构和电子性质进行全面研究
4. Effects Of Gallium Alloy Content And The Geometrical Confinement On Effective Exciton g-factor In A III-V Semiconductor Quantum Dot [C] . N. R. Senthilkumar, A. John Peter DAE Solid State Physics Symposium . 2014

机译：镓合金含量的影响及几何限制对III-V半导体量子点中有效激子G型的影响
5. Characterization and application of MeV ion-implanted layers in III-V compound semiconductors. [D] . Xiong, Fulin. 1990

机译：MeV离子注入层在III-V化合物半导体中的表征和应用。
6. Study of the vertical transport in p-doped superlattices based on group III-V semiconductors [O] . Osmar FP dos Santos, Sara CP Rodrigues, Guilherme M Sipahi, 2011

机译：基于III-V族半导体的p型掺杂超晶格的垂直传输研究
7. Material parameters of quaternary III–V semiconductors for multilayer mirrors at 1:55 m wavelength [O] . Güden Mustafa, Piprek Joachim 1996

机译：波长为1:55 m的多层反射镜的III-V季四半导体的材料参数
8. Controllable Layer-by-Layer Etching of III-V Compound Semiconductors with anElectron Cyclotron Resonance Source [R] . Ko, K. K., Pang, S. W. 1993

机译：具有电子回旋共振源的III-V化合物半导体的可控逐层蚀刻

Realistic g-factor and k.p parameters in III-V semiconductors and prediction of semiconductors layered materials

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅