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石瑛; 赵世荣; 李鸿渐; 何庆尧;
中国电工技术学会;
中国电子学会;
中国机械工程学会;
p-GaN表面; 欧姆接触; 离子注入; 快速热退火;
机译:表面处理和退火温度对与p-GaN形成低电阻Au / Ni欧姆接触的影响
机译:同步加速器X射线衍射研究不同退火温度对Ni / Au欧姆接触p-GaN的微观结构演变的影响
机译:X射线衍射研究氧化Ni / Au欧姆接触p-GaN的微观结构演变
机译:Ni / Au和Pd / Au欧姆接触与p-GaN的比较
机译:Au(111)电极上催化单层的表面覆盖和结构。
机译:AlGaN / GaN HEMT的优化Ti / Al / Ta / Au欧姆接触的电学表征和纳米级表面形貌
机译:通过在金属和P-GaN层之间添加SWCNT金属化层间来改善Au / Ni-Mg / p-GaN触点的欧姆特性
机译:陶瓷IC封装的au微结构和Ni / au表面处理的功能特性
机译:制备透明欧姆接触结构BeO / Au / BeO / p-GaN的方法
机译:p-GaN半导体欧姆接触的透明电极膜
机译:用于GaAs和GaAlAs的Ni-Ge-Au欧姆接触
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