机译:一种适当的分析4H碳化硅金属氧化物 - 半导体场效应晶体管的方法
机译:离子注入4H碳化硅金属半导体场效应晶体管栅金属氧化物半导体结构的参数分析
机译:识别和量化4H碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管中降低迁移率的缺陷的方法
机译:离子注入4H碳化硅金属半导体场效应晶体管的分析模型
机译:4H碳化硅功率双极结型晶体管的设计与制造。
机译:基于硅纳米线的场效应晶体管中泄漏电流的快速频域表征方法
机译:一种适当的分析4H碳化硅金属氧化物 - 半导体场效应晶体管的方法
机译:在蓝宝石上的500 a薄膜硅中制造具有0.2微米栅极长度的n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。 (重新公布新的可用性信息)