School of InformationScience and Technology, Northwest University, Xi'an 710127, China;
机译:P型外延层上离子注入4H碳化硅金属-半导体场效应晶体管的制备及特性
机译:离子注入4H碳化硅金属半导体场效应晶体管栅金属氧化物半导体结构的参数分析
机译:离子植入4H碳化硅金属半导体场效应晶体管的分析模型
机译:大功率碳化硅和氮化镓场效应晶体管的微波非线性建模和有源倍频器设计。
机译:用于温度传感器的碳化硅结型场效应晶体管的特性建模和设计参数辨识
机译:一种适当的分析4H碳化硅金属氧化物 - 半导体场效应晶体管的方法