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张梦; 姚若河; 刘玉荣; 耿魁伟;
华南理工大学电子与信息学院 广州 510641;
散粒噪声; 抑制因子; 电子温度; 短沟道; 场效应晶体管;
机译:短沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中低场迁移率的异常降低
机译:带局部电荷的绝缘体上硅锗金属氧化物半导体场效应晶体管上短沟道应变硅阈值电压的解析模型
机译:通过闪光灯退火在SiO_2层上形成的高性能多Ge短沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:直接观察短沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中的沟道热电子能
机译:纳米N沟道和P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的超薄氧化物和氮化物/氧化物堆叠的栅极电介质研究
机译:基于再生和注入方法的N沟道GaN金属氧化物半导体场效应晶体管的制作和评估
机译:ZrO2门控n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中沟道迁移率的温度依赖性降解机理
机译:用于VLsI的短沟道mOsFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的建模。
机译:具有短沟道的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管和具有短沟道的碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
机译:具有碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管和具有短路沟道的短路沟道的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
机译:具有短沟道的碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管
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