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2011 International Semiconductor Device Research Symposium
2011 International Semiconductor Device Research Symposium
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1.
Metal-oxide coaxial nanowire photovoltaic cells
机译:
金属氧化物同轴纳米线光伏电池
作者:
DeMeo Dante F.
;
MacNaughton Samuel
;
Sonkusale Sameer
;
Vandervelde Thomas E.
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
2.
New latch-up model for deep sub-micron integrated circuit
机译:
用于深亚微米集成电路的新型闩锁模型
作者:
Don Pan
;
Fan Long
;
Yue Suge
;
Zheng Hongchao
;
Du Shougang
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
3.
A parameter extraction method based on Particle Swarm Optimization
机译:
基于粒子群算法的参数提取方法
作者:
Zheng Xue
;
Zhang Guohe
;
Chen Kebin
会议名称:
《》
|
2011年
4.
A physical model for scaling and optimizing layers structure of InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistors based on hydrodynamic simulation
机译:
基于流体动力学模拟的缩放和优化InGaAs / InP双异质结双极晶体管层结构的物理模型
作者:
Ge Ji
;
Liu Hong-Gang
;
Cao Yu-Xiong
;
Su Yong-Bo
;
Jin Zhi
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
5.
Waveguide detection of radiation from a random sheet of nanowires
机译:
波导检测来自随机纳米线片的辐射
作者:
Crowne Frank J.
;
Birdwell Glen
;
ORegan Terrance
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
6.
GIDL and F-N tunneling current correction on charge pumping techniques for profiling traps in high-k gated MOSFETs
机译:
GIDL和F-N隧穿电流校正,基于电荷泵技术的高k栅极MOSFET陷阱分析
作者:
Lu Chun-Chang
;
Chang-Liao Kuei-Shu
;
Tsai Fu-Huan
;
Tsao Che-Hao
;
Wang Tien-Ko
;
Hou Fu-Chung
;
Hsu Yao-Tung
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
7.
Low loss and high tuning barium strontium titanate (BST) thin films
机译:
低损耗高调谐钛酸锶锶(BST)薄膜
作者:
Fu Richard
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
8.
A novel Doping-less Bipolar Transistor with Schottky Collector
机译:
具有肖特基集电极的新型无掺杂双极晶体管
作者:
Nadda Kanika
;
Kumar M. Jagadesh
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
9.
High performance dual-band long-wave infrared focal plane array based on type-II InAs/GaSb superlattices
机译:
基于II型InAs / GaSb超晶格的高性能双波段长波红外焦平面阵列
作者:
Huang Edward Kwei-wei
;
Haddadi Abbas
;
Chen Guanxi
;
Nguyen Binh-Minh
;
Hoang Minh-Anh
;
McClintock Ryan
;
Razeghi Manijeh
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
10.
An investigation on the light-emission mechanism of metal-insulator-semiconductor light-emitting diodes with different SiGe quantum well structures
机译:
SiGe量子阱结构不同的金属-绝缘体-半导体发光二极管的发光机理研究
作者:
Liao M. H.
;
Chang L. C.
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
11.
Characterization of size-controlled ZnO nanorods produced by electrochemical deposition technique
机译:
电化学沉积技术制备尺寸可控的ZnO纳米棒的表征
作者:
Orhan N.
;
Baykul M. C.
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
12.
Fabrication and characterization of size-controlled CdS nanostructures by a modified chemical bath deposition method
机译:
改进的化学浴沉积方法制备和表征尺寸可控的CdS纳米结构
作者:
Baykul M. C.
;
Orhan N.
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
13.
Local stress determination in Shallow Trench Insulator structures with one-side and two-sides Pad-SiN layer by polarized micro-Raman spectroscopy extraction and mechanical modelization
机译:
偏微拉曼光谱提取和机械建模确定单侧和双侧Pad-SiN层浅沟槽绝缘子结构中的局部应力
作者:
Liao M. H.
;
Chang L. C.
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
14.
Study of 22/20nm Tri-Gate transistors compatible in a low-cost hybrid FinFET/planar CMOS process
机译:
研究与22 / 20nm Tri-Gate晶体管兼容的低成本混合FinFET /平面CMOS工艺
作者:
Baldauf T.
;
Wei A.
;
Illgen R.
;
Flachowsky S.
;
Herrmann T.
;
Hontschel J.
;
Horstmann M.
;
Klix W.
;
Stenzel R.
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
15.
A new EOT shrinking mechanism in TiN/HfLaON HKMG MOSFET: Experimental and ab-initio study
机译:
TiN / HfLaON HKMG MOSFET中的新型EOT收缩机制:实验和从头开始研究
作者:
Liang Q.
;
Xu Q. X.
;
Xu G. B.
;
Zhong H. C.
;
Zhu H. L.
;
Li J. F.
;
Zhao C.
;
Yan J.
;
Chen D. P.
;
Ye T. C.
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
16.
Quantum modeling of electron confinement in double triangular quantum well formed in nanoscale symmetric double-gate InAlAs/InGaAs/InP HEMT
机译:
纳米对称双栅InAlAs / InGaAs / InP HEMT中形成的双三角量子阱中电子约束的量子建模
作者:
Jogi Jyotika
;
Verma Neha
;
Gupta Mridula
;
Gupta R. S.
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
17.
The impact of process parameter variations on the electrical characteristics of a RESURF LDMOS and its compact modeling
机译:
工艺参数变化对RESURF LDMOS电气特性的影响及其紧凑模型
作者:
Fathipour V.
;
Mojab A.
;
Malakoutian M. A.
;
Fathipour S.
;
Fathipour M.
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
18.
Characteristics optimizing of LDMOS devices with Advanced-RESURF
机译:
使用Advanced-RESURF优化LDMOS器件的特性
作者:
Shahbazi Sh.
;
Fathipour M.
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
19.
Statistical vulnerability analysis to study intra-chip coupling of high power microwave signals
机译:
统计脆弱性分析,用于研究大功率微波信号的芯片内耦合
作者:
Dilli Zeynep
;
Curley Ronald
;
Akturk Akin
;
Goldsman Neil
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
20.
Stress relaxation behavior and low cycle fatigue behavior of bulk SAC 305
机译:
散装SAC 305的应力松弛行为和低周疲劳行为
作者:
Paradee Gary
;
Christou Aris
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
21.
Optical studies of strained InGaN/GaN quantum structures implanted with europium for red light emitting diodes
机译:
注入euro的红色发光二极管的应变InGaN / GaN量子结构的光学研究
作者:
Wang J.
;
Jadwisienczak W.
;
Ebdah M. A.
;
Kordesch M. E.
;
Anders A.
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
22.
Nitride THz GaN quantum cascade lasers
机译:
氮化物太赫兹GaN量子级联激光器
作者:
Chou HungChi
;
Anwar Mehdi
;
Manzur Tariq
;
Zeller John
;
Sood Ashok K.
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
23.
Higher-k dielectrics and conductive oxide electrodes for next generation DRAMs with a design rule of <20 nm
#
机译:
设计规则为<20 nm
# sup>的下一代DRAM的高k电介质和导电氧化物电极
作者:
Han Jeong Hwan
;
Lee Woongkyu
;
Lee Sang Woon
;
Hwang Cheol Seong
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
24.
Characterization and resistive switching properties of solution-processed HfO
2
, HfSiO
4
, and ZrSiO
4
thin films on rigid and flexible substrates
机译:
刚性和柔性基板上溶液处理的HfO
2 inf>,HfSiO
4 inf>和ZrSiO
4 inf>薄膜的表征和电阻转换特性
作者:
Tedesco J. L.
;
Zheng W.
;
Kirillov O. A.
;
Pookpanratana S.
;
Jang H.-J.
;
Kavuri P. P.
;
Nguyen N. V.
;
Richter C. A.
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
25.
Properties and challenges of scaled resistive memory
机译:
比例电阻存储器的特性和挑战
作者:
Bishop Seann M.
;
Briggs Benjamin D.
;
Leedy Kevin D.
;
Bakhru Hassa
;
Cady Nathaniel C.
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
26.
Effects of triple blocking layers on operation performance in charge-trapping flash devices
机译:
三重阻挡层对电荷陷阱闪存设备操作性能的影响
作者:
Ye Zong-Hao
;
Chang-Liao Kuei-Shu
;
Tsai Jeng-Lin
;
Wang Tien-Ko
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
27.
Untangling the essence of bulk heterostructure organic solar cells: Why complex need not be complicated
机译:
解释块状异质结构有机太阳能电池的本质:为什么复杂不需要复杂
作者:
Alam Muhammad A.
;
Ray Biswajit
;
Khan Mohammad Ryyan
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
28.
A monolithically integrated active matrix microphone incorporating local sensing, switching, and amplification
机译:
单片集成有源矩阵麦克风,集成了本地感应,切换和放大功能
作者:
Hsu Yu-Jen
;
Kymissis Ioannis
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
29.
Improving the selectivity of a metal oxide nanowire gas sensor using a microhotplate/FET platform
机译:
使用微孔板/ FET平台提高金属氧化物纳米线气体传感器的选择性
作者:
Dattoli Eric N.
;
Benkstein Kurt D.
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
30.
Local stressors to accommodate 1.2 to 5.6 GPa uniaxial tensile stress in suspended gate-all-around Si nanowire nMOSFETs by elastic local buckling
机译:
局部应力源通过弹性局部屈曲来适应悬浮式全栅Si纳米线nMOSFET中的1.2至5.6 GPa单轴拉伸应力
作者:
Najmzadeh M.
;
Bouvet D.
;
Grabinski W.
;
Ionescu A. M.
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
31.
On-current limitation of high-k gate insulator MOSFETs
机译:
高k栅极绝缘体MOSFET的导通电流限制
作者:
Shih Chun-Hsing
;
Wang Jhong-Sheng
;
Chien Nguyen Dang
;
Shia Ruei-Kai
;
Luo Yan-Xiang
;
Chen Shen-Li
;
Lien Chenhsin
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
32.
Graded silicon-germanium channel tunnel field effect transistor (G-TFET), an approach to increase I
ON
without compromising I
OFF
机译:
分级硅锗沟道隧道场效应晶体管(G-TFET),一种在不影响I
OFF inf>的情况下增加I
ON inf>的方法
作者:
Goyal Nitin
;
Chaturvedi Poornendu
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
33.
Compact analytical modeling of the gate leakage current partitioning for Double Gate MOSFET device
机译:
双栅极MOSFET器件栅极泄漏电流分配的紧凑分析模型
作者:
Darbandy Ghader
;
Lime Francois
;
Cerdeira Antonio
;
Estrada Magali
;
Garduno Salvador Ivan
;
Iniguez Benjamin
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
34.
TaO
X
memresitive devices with ferromagnetic electrodes
机译:
具有铁磁电极的TaO
X inf>磁阻器件
作者:
Jang Hyuk-Jae
;
Shrestha Pragya
;
Kirillov Oleg
;
Baumgart Helmut
;
Cheung Kin P.
;
Jurchescu Oana D.
;
Richter Curt. A.
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
35.
Compact modeling of silicon carbide lateral MOSFETs for extreme environment integrated circuits
机译:
用于极端环境集成电路的碳化硅横向MOSFET的紧凑模型
作者:
Kashyap Avinash S.
;
Chen Cheng-Po
;
Tilak Vinayak
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
36.
Design, simulation, and characterization of THz metamaterial absorber
机译:
太赫兹超材料吸收器的设计,仿真和表征
作者:
Butler Lee
;
Wilbert David S.
;
Baughman William
;
Balci Soner
;
Kung Patrick
;
Kim Seongsin M.
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
37.
Scaling-up charge injection to nanowire p-n heterojunctions: From individual nanowires to their large size arrays
机译:
扩大电荷注入到纳米线p-n异质结:从单个纳米线到大尺寸阵列
作者:
Nikoobakht Babak
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
38.
Location and cause of surface potential fluctuations in an SOI nanowire
机译:
SOI纳米线中表面电势波动的位置和原因
作者:
Thorbeck Ted
;
Zimmerman Neil
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
39.
Modeling the capacitance-voltage characteristics of the trench Insulated Gate Bipolar Transistor (TIGBT) by minimizing its Helmholtz Free Energy
机译:
通过最小化其亥姆霍兹自由能来模拟沟槽绝缘栅双极晶体管(TIGBT)的电容-电压特性
作者:
Sattar Abdus
;
Gunther Norman
;
Barycza Mark
;
Rahman Mahmudur
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
40.
DC circuit model of a memristor
机译:
忆阻器的直流电路模型
作者:
Mazady Anas
;
Anwar Mehdi
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
41.
Hydrodynamic simulations of a nanoscale RingFET
机译:
纳米级RingFET的流体动力学模拟
作者:
Williams N. E.
;
Gokirmak A.
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
42.
Interface engineering for efficient organic optoelectronic devices using nanostructured transition metal oxides
机译:
使用纳米结构过渡金属氧化物的高效有机光电器件的界面工程
作者:
Vasilopoulou M.
;
Kostis I.
;
Papadimitropoulos G.
;
Konofaos N.
;
Iliadis A. A.
;
Argitis P.
;
Davazoglou D.
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
43.
Failure analysis of THz GaAs photoconductive antenna by means of high resolution X-ray topography
机译:
高分辨率X射线形貌分析THz GaAs光电导天线的失效。
作者:
Qadri Syed B.
;
Wu Dong Ho
;
Graber Benjamin D.
;
Mahadik N. A.
;
Garzarella A.
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
44.
Multilayer, colloidal nanoparticle based devices for biological and nuclear radiation detection
机译:
基于多层胶体纳米粒子的生物和核辐射检测装置
作者:
Qin Liqiao
;
Shing Christopher
;
Sawyer Shayla
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
45.
CVD graphene ubiquitous high speed electronics on flexible/rigid substrates
机译:
柔性/刚性基板上的CVD石墨烯无处不在的高速电子设备
作者:
Nayfeh Osama M.
;
Nichols Barbara
;
Ivanov Tony
;
Proie Robert
;
Meissener Greg
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
46.
Graphene-based electronics for ubiquitous RF communications and sensing
机译:
基于石墨烯的电子产品,用于无处不在的RF通信和传感
作者:
Palacios Tomas
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
47.
Graphene transistors for RF applications: Opportunities and challenges
机译:
用于射频应用的石墨烯晶体管:机遇与挑战
作者:
Moon J. S.
;
Antcliffe M.
;
Seo H. C.
;
Lin S. C.
;
Schmitz A.
;
Milosavljevic I.
;
McCalla K.
;
Wong D.
;
Gaskill D. K.
;
Campbell P. M.
;
Lee K.-M.
;
Asbeck P.
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
48.
Optical bio sensor using Graphene Nano Ribbons
机译:
使用石墨烯纳米带的光学生物传感器
作者:
Mehta Bhaven
;
Li Zhenyu
;
Zaghloul Mona
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
49.
Design and simulation of enhancement-mode N-polar GaN single-channel and dual-channel MIS-HEMTs
机译:
增强型N极GaN单通道和双通道MIS-HEMT的设计和仿真
作者:
Feng Peijie
;
Teo Koon Hoo
;
Oishi Toshiyuki
;
Nakayama Masatoshi
;
Duan Chunjie
;
Zhang Jinyun
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
50.
Threshold voltage and sub-threshold slope variation with gate-length in Al
2
O
3
/InAlAs/InGaAs QW FETs
机译:
Al
2 inf> O
3 inf> / InAlAs / InGaAs QW FET中阈值电压和亚阈值斜率随栅极长度的变化
作者:
Tsopelas A. Gili I.
;
Xanthakis J. P.
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
51.
Optoelectronic characterization of 4H-SiC avalanche photodiodes operated in DC and in geiger mode
机译:
在直流和盖革模式下运行的4H-SiC雪崩光电二极管的光电特性
作者:
Dandin M.
;
Akturk A.
;
Vert A.
;
Soloviev S.
;
Sandvik P.
;
Potbhare S.
;
Goldsman N.
;
Abshire P.
;
Cheung K. P.
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
52.
Integrating biological molecules with electrode surfaces for bioanalytical sensing applications
机译:
将生物分子与电极表面整合在一起,以进行生物分析传感应用
作者:
Robertson Joseph W. F.
;
Silin Vitalii
;
Reiner Joseph E.
;
Kasianowicz John J.
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
53.
Room temperature Plasma Assisted Atomic Layer Deposition Al
2
O
3
film's encapsulation application in Organic Light Emitting Diodes
机译:
室温等离子体辅助原子层沉积Al
2 inf> O
3 inf>薄膜在有机发光二极管中的封装应用
作者:
Fu Richard
;
Chen Andrew
;
Srour Merric
;
Blomquist Steven
;
Forsythe Eric
;
Shi Jianmin
;
Morton David
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
54.
Co-InGaAs as a novel self-aligned metallic source/drain material for implant-less In
0.53
Ga
0.47
As n-MOSFETs
机译:
Co-InGaAs作为一种新型的自对准金属源极/漏极材料,用于无注入In
0.53 inf> Ga
0.47 inf> As n-MOSFET
作者:
Ivana
;
Subramanian Sujith
;
Kong Eugene Y.-J.
;
Zhou Qian
;
Yeo Yee-Chia
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
55.
The fabrication of poly-Si MOSFETs using ultra-thin high-K/metal-gate stack for monolithic 3D integrated circuits technology applications
机译:
使用超薄高K /金属栅叠层制造多晶硅MOSFET,用于单片3D集成电路技术应用
作者:
Wu T.-H.
;
Lee M. H.
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
56.
An electronic microfluidic switch using dielectrophoresis for control of microparticles
机译:
使用介电电泳控制微粒的电子微流控开关
作者:
Javanmard Mehdi
;
Emaminejad Sam
;
Dutton Robert
;
Davis Ronald W.
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
57.
Ballistic and high field transport in a nano-MOSFET
机译:
纳米MOSFET中的弹道和高场传输
作者:
Riyadi Munawar A
;
Arora Vijay K.
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
58.
Effect of annealing temperature on the barrier height of nano-particle embedded Ni-contacts to 4H-SiC
机译:
退火温度对4H-SiC纳米粒子内嵌Ni-接触层势垒高度的影响
作者:
Kang Min-Seok
;
Lee Jung-Ho
;
Hallen Anderson
;
Zetterling Carl-Mikael
;
Koo Sang-Mo
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
59.
WBG substrates for devices, progress and trends (SiC to III-nitrides comparison)
机译:
器件用WBG基板,进展和趋势(SiC与III型氮化物的比较)
作者:
Syrkin Alexander L.
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
60.
Study of conductivity type of undoped ZnO films grown on n and p-type (100) Si substrates by pulsed laser deposition
机译:
通过脉冲激光沉积研究在n型和p型(100)Si衬底上生长的未掺杂ZnO膜的导电类型
作者:
Sardari Saeed Esmaili
;
Berkovich Andrew
;
Iliadis Agis A.
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
61.
InP/ZnS core-shell quantum dots sensitized ZnO nanowires for photovoltaic devices
机译:
用于光电器件的InP / ZnS核壳量子点敏化ZnO纳米线
作者:
Shen Gang
;
Harris Nicholas
;
Dawahre Nabil
;
Wilbert David S.
;
Baughman William
;
Rivera Elmer
;
Nikles David
;
Bryant Tony L.
;
Kim Seongsin Margaret
;
Kung Patrick
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
62.
Domain-wall spintronic memristor for capacitance and inductance sensing
机译:
域壁自旋电子忆阻器,用于电容和电感感测
作者:
Mahmoudi Hiwa
;
Sverdlov Viktor
;
Selberherr Siegfried
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
63.
Absorption in biased Al
x
Ga
1−x
N/GaN quantum wells
机译:
偏置的Al
x inf> Ga
1-x inf> N / GaN量子阱中的吸收
作者:
Chou HungChi
;
Anwar Mehdi
;
Manzur Tariq
;
Zeller John
;
Sood Ashok K.
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
64.
Ultra-compact low-power ICO/VCO circuits with double gate MOSFETs
机译:
具有双栅极MOSFET的超紧凑型低功耗ICO / VCO电路
作者:
Laha Soumyasanta
;
Wijesundara Kushal C.
;
Kulkarni Anish
;
Kaya Savas
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
65.
Fabrication methodology for nanostructured hybrid organic/inorganic photovoltaic devices formed with alternating sacrificial spacers in a nested nanotube configuration
机译:
纳米结构混合有机/无机光伏器件的制造方法,该器件由嵌套纳米管配置的交替牺牲性间隔物形成
作者:
Boland P. M.
;
Gu D.
;
Namkoong G.
;
Baumgart H.
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
66.
Electrical characteristics of SiGe MOSFETs integrated with Tantalum or Titanium oxynitride higher-k gate dielectrics
机译:
集成钽或氮氧化钛高k栅极电介质的SiGe MOSFET的电气特性
作者:
Li Chen-Chien
;
Chang-Liao Kuei-Shu
;
Fu Chung-Hao
;
Tzeng Te-Hsuen
;
Wang Tien-Ko
;
Tsai Wen-Fa
;
Ai Chi-Fong
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
67.
Characteristics of AlGaN/GaN heterostructure field effect transistor grown on 4 inch Si (111) substrate using formation of dot-like AlSi
x
C
1−x
interlayer
机译:
使用点状AlSi
x inf> C
1-x inf>中间层形成在4英寸Si(111)衬底上生长的AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管的特性
作者:
Lee Jae-Hoon
;
Kwak Young-Sung
;
Jeong Jae-Hyun
;
Lim Wan-Tae
;
Lee Heon-Bok
;
Ryu Jong-Kyu
;
Hur Seung-Bae
;
Kim Ki-Se
;
Kim Ki-Won
;
Kim Dong-Seok
;
Lee Jung-Hee
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
68.
Giant injection of two-dimensional electron gas
机译:
巨型注入二维电子气
作者:
Dmitriev Alexander
;
Shur M.
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
69.
Nano-dimensional structures of 3C-SiC formed from rice husk
机译:
稻壳形成的3C-SiC纳米结构
作者:
Gorzkowski Edward P.
;
Qadri S. B.
;
Rath B. B.
;
Singh S. K.
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
70.
Realization of vertically-aligned GaN n-p core-shell nanoscale structures using top-down fabrication
机译:
使用自上而下的制造实现垂直排列的GaN n-p核壳纳米级结构
作者:
Paramanik Dipak
;
Aluri Geetha
;
Krylyuk Sergiy
;
Motayed Abhishek
;
King Matthew
;
McLaughlin Sean
;
Gupta Shalini
;
Cramer Harlan
;
Davydov Albert V.
;
Nikoobakht Babak
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
71.
Realization of n-ZnO:Ga / p-ZnO:GaP homojunction by RF magnetron sputtering
机译:
射频磁控溅射实现n-ZnO:Ga / p-ZnO:GaP同质结
作者:
Gowrishankar S.
;
Balakrishnan L.
;
Balasubramanian T.
;
Gopalakrishnan N.
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
72.
Four-state FETs incorporating quantum dot gate (QDG), quantum dot channel (QDC) and spatial wavefunction-switched (SWS) structures: Basis for 2-bit processing circuit architectures
机译:
结合了量子点栅极(QDG),量子点通道(QDC)和空间波函数开关(SWS)结构的四态FET:2位处理电路架构的基础
作者:
Jain F.
;
Baskar K.
;
Karmakar S.
;
Chan P-Y.
;
Suarez E.
;
Miller B.
;
Chandy J.
;
Heller E.
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
73.
Silicon-compatible bulk-type compound junctionless field-effect transistor
机译:
硅兼容的体型复合无结场效应晶体管
作者:
Cho Seongjae
;
Park Se Hwan
;
Park Byung-Gook
;
Harris James S.
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
74.
A novel approach of cap-sharing to reduce the big loop filter capacitance in semi-digital PLL
机译:
减少半数字PLL中大容量滤波器的电容共享的新方法
作者:
Dewan Ketan
;
Sareen Puneet
;
Dietl Markus
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
75.
III-Nitride devices on Si: Challenges and opportunities
机译:
Si上的III型氮化物器件:挑战与机遇
作者:
(Shadi) Shahedipour-Sandvik F.
;
Tungare M.
;
Leathersich J.
;
Suvarna P.
;
Tompkins R.
;
Jones K. A.
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
76.
InGaN/GaN microwave varactors with high Q, high-breakdown voltage and high linearity
机译:
具有高Q,高击穿电压和高线性度的InGaN / GaN微波变容二极管
作者:
Lu Wei
;
(Dennis) Wang Lingquan
;
Gu Siyuan
;
Aplin David P. R.
;
Yu Paul K. L.
;
Asbeck Peter M.
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
77.
Modulation of transfer characteristics of Si nanowire tunnel FET on ultra-thin-body and BOX (UTBB) SOI substrate using back-gate bias
机译:
使用背栅偏置调制超薄体和BOX(UTBB)SOI衬底上的Si纳米线隧道FET的传输特性
作者:
Sun M.-C.
;
Kim S. W.
;
Kim G.
;
Kim H. W.
;
Kim H.
;
Lee J.-H.
;
Shin H.
;
Park B.-G.
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
78.
Investigation of vertical type single-electron transistor with sidewall spacer quantum dot
机译:
具有侧壁间隔物量子点的垂直型单电子晶体管的研究
作者:
Kim Kyung-Wan
;
Lee Jung Han
;
Kang Kwon-Chil
;
Kim Hyun Woo
;
Seo Joo Yun
;
Kim Wandong
;
Park Byung-Gook
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
79.
Heterojunction — A comprative study
机译:
异质结—比较研究
作者:
Lamba Vijay K
;
Engles Derick
;
Verma Munish
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
关键词:
DFT;
Hetrojunctions;
NEGF;
80.
Dependence of self-heating effect on passivation layer in AlGaN/GaN HEMT devices
机译:
自热效应对AlGaN / GaN HEMT器件中钝化层的依赖性
作者:
Haghshenas A.
;
Fathipour M.
;
Mojab A.
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
81.
Denser and more stable FinFET SRAM using multiple fin heights
机译:
使用多个鳍高度的Denser和更稳定的FinFET SRAM
作者:
Sachid Angada B.
;
Hu Chenming
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
82.
Principles of operation for a fast, low-voltage digital switch
机译:
快速低压数字开关的工作原理
作者:
Theis Thomas N.
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
83.
Determination of oxide properties with a new fast tunneling current measurement protocol
机译:
使用新的快速隧穿电流测量协议确定氧化物性质
作者:
Chiquet P.
;
Micolau G.
;
Laffont R.
;
Lalande F.
;
Regnier A.
;
Bouteille B.
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
84.
Tunable transmission Gap in graphene p-n junction
机译:
石墨烯p-n结中的可调传输间隙
作者:
Sajjad Redwan N.
;
Ghosha Avik W.
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
85.
A tunneling field-effect transistor using side metal gate/high-k material for low power application
机译:
使用侧金属栅极/高k材料的隧穿场效应晶体管用于低功耗应用
作者:
Kim Hyun Woo
;
Lee Jung Han
;
Kim Wandong
;
Sun Min-Chul
;
Kim Jang Hyun
;
Kim Garam
;
Kim Kyung-Wan
;
Kim Hyungjin
;
Seo Joo Yun
;
Park Byung-Gook
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
86.
Using triangular voltage sweep to detect mobile ions in silicon carbide MOS
机译:
使用三角电压扫描来检测碳化硅MOS中的移动离子
作者:
Habersat Daniel B.
;
Lelis Aivars
;
Green Ronald
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
87.
Device modeling analysis and simulation of SiC P-i-N diode under pulsed power conditions
机译:
脉冲功率条件下SiC P-i-N二极管的器件建模分析和仿真
作者:
Ogunniyi Aderinto
;
OBrien Heather
;
Scozzie Charles
;
Shaheen William
;
Zhang Jon
;
Cheng Lin
;
Agarwal Anant
;
Temple Victor
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
88.
Vapor-liquid-solid growth and characterization of al-catalyzed Si nanowires
机译:
铝催化硅纳米线的气液固生长和表征
作者:
Redwing Joan M.
;
Ke Yue
;
Wang Xin
;
Eichfeld Chad
;
Weng Xiaojun
;
Kendrick Chito E.
;
Mohney Suzanne E.
;
Mayer Theresa S.
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
89.
High-field carrier velocity in silicon tri-gate nanowire pMOSFETs with <100>- and <110>-oriented channel
机译:
具有<100>-和<110>取向沟道的硅三栅纳米线pMOSFET的高场载流子速度
作者:
Saitoh Masumi
;
Ota Kensuke
;
Tanaka Chika
;
Nakabayashi Yukio
;
Uchida Ken
;
Numata Toshinori
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
90.
Emerging memory devices
机译:
新兴存储设备
作者:
Wong H.-S. Philip
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
91.
Phase-change memory on thin-film-transistor technology
机译:
薄膜晶体管技术的相变存储器
作者:
Li Lin
;
Zhang Lining
;
He Jin
;
Chan Mansun
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
92.
The properties of germanium-tin alloys for infrared device applications
机译:
锗锡合金在红外设备中的性能
作者:
Kolodzey James
;
Coppinger Matt
;
Kim Sangcheol
;
Bhargava Nupur
;
Gupta Jay
;
Ni Chaoying
;
Yeo Yung Kee
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
93.
Improving SRAM read/write margin with asymmetric halo MOSFET
机译:
通过非对称光晕MOSFET提高SRAM的读/写裕量
作者:
Nii Koji
;
Yabuuchi Makoto
;
Fujiwara Hidehiro
;
Tsukamoto Yasumasa
;
Maekawa Koji
;
Igarashi Motoshige
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
94.
Fabrication of segmented-channel MOSFETs for reduced short-channel effects
机译:
分段沟道MOSFET的制造可减少短沟道效应
作者:
Ho Byron
;
Sun Xin
;
Xu Nuo
;
Sako Takuji
;
Maekawa Kaoru
;
Tomoyasu Masayuki
;
Akasaka Yasushi
;
Liu Tsu-Jae King
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
95.
Expansion of Shockley Stacking faults in high doped 4H-SiC epilayers
机译:
高掺杂4H-SiC外延层中Shockley堆垛层错的扩展
作者:
Stahlbush Robert E.
;
Mahadik Nadeemullah A.
;
Imhoff Eugene A.
;
Hobart Karl D.
;
Myers-Ward Rachael L.
;
Eddy Charles R.
;
Gaskill D. Kurt
;
Kub Fritz J.
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
96.
Controlling charility and pinhole defects in Ni catalyst for synthesis of graphene
机译:
控制合成石墨烯的镍催化剂中的孔性和针孔缺陷
作者:
Zakar Eugene
;
Hauri Kevin
;
Fu Richard
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
97.
GaN power Schottky diodes fabricated on low doped MOCVD layers grown on multiple substrates
机译:
在多个衬底上生长的低掺杂MOCVD层上制造的GaN功率肖特基二极管
作者:
Tompkins Randy P.
;
Zhou Shuai
;
Smith Joshua R.
;
Derenge Michael A.
;
Kirchner Kevin W.
;
Jones Kenneth A.
;
Mulholland Gregory
;
Metzger Robert
;
Leach Jacob
;
Suvarna Puneet
;
Tungare Mihir
;
Tripathi Neeraj
;
(Shadi) Shahedipour-Sandvik Fatemeh
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
98.
Low-field acoustic phonon limited mobility in GNRs
机译:
GNR中的低场声子声子受限迁移率
作者:
Jalili Sahar
;
Fathipour Morteza
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
99.
SiC MOSFET oxide-trap two-way tunneling model
机译:
SiC MOSFET氧化物陷阱双向隧穿模型
作者:
Lelis Aivars
;
Habersat Dan
;
Green Ron
;
Goldsman Neil
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
100.
The effects of different silicon carbide — Silicon dioxide interface passivations on transition region mobility and transport
机译:
不同碳化硅-二氧化硅界面钝化对过渡区迁移率和迁移的影响
作者:
Salemi S.
;
Akturk A.
;
Potbhare S.
;
Lelis A.
;
Goldsman N.
会议名称:
《2011 International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2011年
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