Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan, R.O.C.;
机译:利用改进的电荷泵技术对高$ k $栅极MOSFET中沿沟道和栅极介电层的沟道热载流子应力引起的陷阱分布进行分析
机译:使用GIDL电流技术研究MOSFET中氧化物电荷的俘获和去俘获
机译:高k栅极MOSFET的电荷泵测量中的隧道分量抑制和可靠性研究
机译:GIDL和F-N隧道电流校正电荷泵送技术,用于高k门控MOSFET中的分析陷阱
机译:电荷陷阱对高k栅极堆叠中的迁移率和阈值电压不稳定性产生影响。
机译:具有高k La2O3 / ZrO2栅极电介质的肖特基势垒SOI-MOSFET
机译:具有高K介质的深亚微米mOsFET中直接隧穿栅极电流和栅极电容的建模。