...
机译:利用改进的电荷泵技术对高$ k $栅极MOSFET中沿沟道和栅极介电层的沟道热载流子应力引起的陷阱分布进行分析
Channel-hot-carrier (CHC); charge-pumping (CP); $kappa$" role="link" tabindex="0"high-$kappa$; trap generation;
机译:通过电荷泵技术对高kappa型栅极电介质的MOSFET的边界陷阱进行深度剖析
机译:通过应力-和实时检测高-
机译:具有高κ栅极介电常数的MOSFET的接口质量和电荷陷阱特性得到改善
机译:GIDL和F-N隧穿电流校正,基于电荷泵技术的高k栅极MOSFET陷阱分析
机译:存在高κ栅极绝缘体的块状Si NMOSFET中的电子传输:电荷俘获和迁移率
机译:高κ氧化物纳米带作为高迁移率顶栅石墨烯晶体管的栅极电介质
机译:采用不同技术制备的栅极电介质的N沟道mOsFET中的断态栅极漏电流
机译:ZmR(区域熔化 - 再结晶)和sImOX(氧注入)sOI(绝缘体上硅)mOsFET中的栅极氧化物泄漏和电荷俘获的研究